Система условных обозначений отечественных интегральных микросхем

Система условных обозначений современных типов интегральных микросхем установлена ОСТ 11073915-80. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.

Первый элемент — цифра, обозначающая группу интегральной микросхемы по конструктивно-технологическому исполнению:

1,5,6,7 — полупроводниковые ИМС; 2,4,8 — гибридные; 3 — прочие (пленочные, вакуумные, керамические).

Второй элемент — две или три цифры (от 01 до 99 или от 001 до 999), указывающие на порядковый номер разработки данной серии ИМС.

Первый и второй элемент образуют серию микросхем.

Третий элемент — две буквы, обозначающие функциональную подгруппу и вид микросхемы.

Вычислительные устройства:

ВЕ — микро-ЭВМ; ВМ — микропроцессоры; ВС — микропроцессорные секции; ВУ — устройства микропрограммного управления; ВР — функциональные расширители; ВБ — устройства синхронизации; ВН — устройства управления прерыванием; ВВ — устройства управления вводом — выводом; ВТ — устройства управления памятью; ВФ — функциональные преобразователи информации; ВА — устройства сопряжения с магистралью; ВИ — времязадающие устройства; ВХ — микрокалькуляторы; ВГ — контроллеры; ВК — комбинированные устройства; ВЖ — специализированные устройства; ВП — прочие.

Постоянные резисторы

Название постоянных резисторов связано с их номинальным сопротивлением, которое остается неизменным в течение всего периода эксплуатации. Они различаются между собой в зависимости от конструкции и материалов.

Проволочные элементы состоят из металлических проводов. В некоторых случаях могут использоваться сплавы с высоким удельным сопротивлением. Основой для намотки проволоки служит керамический каркас. Данные резисторы обладают высокой точностью номинала, а серьезным недостатком считается наличие большой собственной индуктивности. При изготовлении пленочных металлических резисторов, на керамическое основание напыляется металл, обладающий высоким удельным сопротивлением. Благодаря своим качествам, такие элементы получили наиболее широкое распространение.

Конструкция угольных постоянных резисторов может быть пленочной или объемной. В данном случае используются качества графита, как материала с высоким удельным сопротивлением. Существуют и другие резисторы, например, интегральные. Они применяются в специфических интегральных схемах, где использование других элементов не представляется возможным.

19.Цифровые устройства:

ИР — регистры; ИМ — сумматоры; ИЛ — полусумматоры; ИЕ — счетчики; ИД — дешифраторы; ИК — комбинированные; ИВ — шифраторы; ИА — арифметико — логические устройства; ИП — прочие.

Четвертый элемент — число, обозначающее порядковый номер разработки микросхемы в серии.

В обозначение также могут быть введены дополнительные символы (от А до Я), определяющие допуски на разброс параметров микросхем и т. п. Перед первым элементом обозначения могут стоять следующие буквы: К — для аппаратуры широкого применения; Э — на экспорт (шаг выводов 2,54 и 1,27 мм); Р — пластмассовый корпус второго типа; М — керамический, металло- или стеклокерамический корпус второго типа; Е — металлополимерный корпус второго типа; А — пластмассовый корпус четвертого типа; И — стеклокерамический корпус четвертого типа Н — кристаллоноситель.

Условные обозначения зарубежных микросхем по системе PRO ELECTRON

За рубежом существуют различные системы кодирования (обозначения, маркировки) ИМС, действующие как в международном масштабе, так и внутри отдельных стран или фирм. В европейских странах система кодирования ИМС аналогична системе, принятой для кодирования дискретных полупроводниковых приборов, и используется полупроводниковыми фирмами различных стран (Англии, Бельгии, Италии, Испании, Нидерландов, Швеции, Франции, ФРГ и др.). Основные принципы кодирования системы, по которой обозначения присваиваются международной организацией Association International Pro Electron, приводятся ниже.

Код состоит из трех букв, за которыми следует серийный номер (например, ТВА810, SAB2000, FLH101).

Первая буква для одиночных схем отражает принцип преобразования сигнала в схеме: S — цифровое; Т — аналоговое; U — смешанное (аналого-цифровое).

Вторая буква не имеет специального значения (выбирается фирмой-изготовителем), за исключением буквы Н, которой обозначаются гибридные схемы. Для серий (семейств) цифровых схем первые две буквы (FA, FB, FC, FD, FE, FF, FJ, FI, FL, FQ, FT, FY, FZ, GA, GB, GD, GF, GM, GT, GX, GY, GZ, НВ, НС) отражают схемотехнологические особенности, например: FY — ЭСЛ-серия; FD, GD — МОП-схемы; FQ — ДТЛ-схемы; GA — маломощные ТТЛ-схемы; FL, GF — стандартные ТТЛ-схемы; GJ — быстродействующие ТТЛ-схемы; GM — маломощные с диодами Шотки ТТЛ-схемы; НВ — комплементарные МОП-схемы серии 4000 А; НС -комплементарные МОП-схемы серии 4500 В.

Третья буква обозначает диапазон рабочих температур или, как исключение, другую важную характеристику: А — температурный диапазон не нормирован; В — от 0 до + 70°С; С — от -55 до +125°С; D — от -25 до +70°С; Е — от -25 до +85°С; F — от -40 до +85°С; G — от -55 до + 85°С.

Затем следует серийный номер, состоящий минимум из четырех цифр. Если он состоит менее чем из четырех цифр, то число цифр увеличивается до четырех добавлением нулей перед ними.

Кроме того, за цифрами может следовать буква для обозначения варианта (разновидности) основного типа. Типы корпусов могут обозначаться одной или двумя буквами. При двухбуквенном обозначении вариантов корпусов (после серийного номера) первая буква отражает конструкцию: С — цилиндрический корпус; D — с двухрядным параллельным расположением выводов (DIP); Е — мощный с двухрядным расположением выводов (с внешним теплоотводом); F — плоский (с двусторонним расположением выводов); G — плоский (четырехсторонним расположением выводов); К — корпус типа ТО-3; М — многорядный (больше четырех рядов); Q — с четырехрядным параллельным расположением выводов; R — мощный с четырехрядным расположением выводов (с внешним теплоотводом); S — с однорядным расположением выводов; Т — с трехрядным расположением выводов. Вторая буква показывает материал корпуса: G — стеклокерамика; М — металл; Р — пластмасса; X — прочие.

Обозначения корпусов с одной буквой: С — цилиндрический; D — керамический; F — плоский; L — ленточный кристаллодержатель; Р — пластмассовый DIP; Q — с четырехрядным расположением выводов; Т — миниатюрный пластмассовый; U — бескорпусная ИМС.

В коде, действовавшем до 1973 г., первые две буквы обозначают то же, что и в современном, а третья буква показывает функциональное назначение: А — линейное усиление; В — частотное преобразование/демодуляция; С — генерация колебаний; Н — логические схемы; J — двухстабильные или мультистабильные схемы (делители частоты, триггеры, счетчики, регистры); К — моностабильные схемы (одновибраторы); L — цифровые преобразователи уровня (дешифраторы, драйверы); М — схемы со сложной логической конфигурацией (например, сумматор); N — двухстабильные или мультистабильные схемы (с длительным хранением информации); Q — оперативное запоминающее устройство (ОЗУ); R — постоянное запоминающее устройство (ПЗУ); S — усилитель считывания с цифровым выходом; Y — прочие схемы.

Следующие затем первые две цифры указывают серийный номер (от 10 до 99), а третья цифра — диапазон рабочих температур: 0 — температурный диапазон не нормирован; 1 — от 0 до +70°С; 2 — от -55 до 125°С; 3 — от -10 до +85°С; 4 — от + 15 до +55°С; 5 — от -25 до +70°С; 6- от -40 до +85°С.

Например, ИМС типа FY H121 является цифровой логической ИМС (буква Н) и относится к семейству FY (ЭСЛ). Она совместима с другими ИМС этой серии (семейства), т. е. используется при таком же напряжении питания, при тех же входных и выходных уровнях, имеет то же быстродействие. Это третий прибор серии (цифра 12), работает в температурном диапазоне от 0 до 70°С.

Буквенное обозначение ИМС различных фирм

Буквенное обозначениеФирмаБуквенное обозначениеФирма
ARFTDMPALNSC
ADAnalod Devices (AD)DMXPMI
ADBNational Semiconductor Corp. (NSC)DNMatsushita
DPNSC
ADCNSC, Datel, Burr-Brown (BB), Hybrid Systems (HS)DQSEEQ
DSGI, NSC
ADDNSCERFT, SGS
ADMNSCECGSylvania
ADSNSCEFThomson
ADXNSCEFBThomson
AFNSCEFDThomson
AHNSCEFFThomson
AMAdvanced Micro Devices (AMD), NSC, Raytheon, DSIEFG EFHThomson Thomson
AMPALAMDEFMThomson
ANMatsushitaEFSThomson
ATFBBEFTThomson
AYGeneral Instrument (GI)EFYThomson
BFujitsu, RFTEFZThomson
BARohmELElcap
BtBrooktree Corp.EPAltera
BUFPrecision Monolithics Inc. (PMI)ER ESMGI Thomson
CNSC, Fujitsu, RFTETThomson
CARCAETCThomson
CCDFairchildETLThomson
CDRCA, NSCFFairchild, Master Logic (ML)
CDAThomsonFCMullard
CDMRCAFCHValvo
CDPRCAFCKValvo
CFHarrisFCLValvo
CMSolitron, MitelFCMFairchild
CMPPMIFCYValvo
COMSMCFDRTC, Siemens
COPNSCFDNValvo
CPGIFDQValvo
CRTSMCFDRValvo
CSCCrystal SemiconductorFERTC
CSCherry Semiconductor Corp.FEJValvo
CUGIFEYValvo
CXSonyFFRTC
CXASonyFGCFairchild
CYCypress SemiconductorFGEFairchild
DCorp. RFT, Intersil, SiliconixFJ FKMullard, RTC Mullard
DA-ADNSCFLSiemens
DACBB, Datel, PMI, HS, NSC, RaytheonFLT FQDSI SGS
DASDatelFWAFairchild
DAXNSCFXConsumer Microcircuits Limited
DCDigital Equipment Corp. (DEC)FYSiemens
DCJDECFZSiemens
DESEEQFZHValvo
DFSiliconixFZJValvo
DGIntersil, SiliconixFZKValvo
DGMSiliconixFZLValvo
DHNSCGSiliconix, Intersil
DIDionicsGAMostek
DLGI, RFTGAPPMI
DMNSC, SEEQGBMostek

Буквенное обозначение ИМС различных фирм (продолжение)

Буквенное обозначениеФирмаБуквенное обозначениеФирма
GDSiemensIRKSharp
GEGeneral Electric (GE)ISPNSC
GEICGEITTITT
GFRTCIXIntel
GLGSSJMatsushita
GTRTCJBPTexas Instruments (TI)
GXSiemens, ValvoKASamsung
GXBPhilips, RTC, ValvoKBGI
GZRTCKMSamsung
GZFValvoKRSMC
HHughes, SGS, SiliconixKSGold Star, Samsung
HAHarris, HitachiLSGS, Siliconix
HABHarris, RTC, ValvoLASanyo, GI
HALMonolithic Memories (MMI)LASLambda
HASADLBSanyo
HBS, HBFSGSLCGI, Sanyo
HCHarris, Honeywell, RCALDSiliconix
HCCSGSLESanyo, Seeq
HCFSGS-ATESLFNSC
HCMPHughesLFTNSC
HDHarris, HitachiLGGI
HDSADLHNSC, Raytheon, Sharp, Siliconix
HEHoneywellLLMLambda
HEFMullard, Philips, RTC, ValvoLMNSC, Raytheon, Sanyo, Seeq, Siliconix, Signetics
HIHarris
HLCDHughesLMCLambda
HMHarris, HitachiLNATRW
HMCSHitachiLPNSC
HMMPHughesLPDLambda
HNHitachiLQSeeq
HNVMHughesLRSharp
HPLHarrisLSSGS
HPROMHarrisLTLinear Technology Corp.
HRAMHarrisLTTLighes Telegraphiques Telefoniques
HROMHarrisLUSharp
HSHarris, Hybrid Systems NSCLZSharp
HSGSGSMMatsushita, Mitsubishi, SGS, Thomson
HSSRHughes
HSORTCMAMitel. Philips
HTHarris, HoneywellMAAITT, Tesla
HXPhilipsMABTesla
HXARTCMACTesla
HYNSCMAFTesla
IBIntelMASTesla
ICIntelMATPMI
ICLIntersilMaxMaxim
ICMIntersilMBFujitsu, Intel, Philips
IDIntelMBATesla
IDMNSCMBLFujitsu
IHIntersil, NSCMBMFujitsu
IMIntel, Intersil, NSCMCIntel, Motorola, Nippon Electric (NEC), Unitra
IMIInternational Microcircuits Inc. (IMI)MCANSC, Tesla
IMPNSCMCBMotorola
IMSInmosMCBCMotorola
INSNSCMCCMotorola
IPIntelMCCFMotorola
IPCNSCMCEMotorola, MCE
IRSharpMCMMotorola

Буквенное обозначение ИМС различных фирм (продолжение)

Буквенное обозначениеФирмаБуквенное обозначениеФирма
MCXUnitraNOMPlessey
MCYUnitraNSNitron
MDIntel, Mitel, PhilipsNSCNSC
MDATeslaNSLNSC
MEPhilipsOPPMI
MEAMilliardOPABB
MEBPhilipsPARCA
MEMGIPALMMI, NSC
MENGI
MFNSCPCGI
MGBMCEPCAPhilips, Valvo
MGCMCEPCBMilliard, Philips, Valvo
MHNSC, Mitel, Tesla
MHATeslaPCCPhilips, Valvo
MHCTeslaPCDMilliard, Philips, Valvo
MHDTeslaPCEPhilips, Valvo
MHETeslaPCFMilliard, Philips, Valvo
MHFTeslaPICGI, Unitrode
MHGTeslaPKDPMI
MHWMotorolaPLEMonolithic Memories
MICITTPMPMI
MJPlesseyPMBTI
MJATeslaPMJTI
MJBTeslaPNAPhilips, Valvo
MKMostekPMRLambda
MKBMostekRRaytheon, Rockwell
MKJMostekRAGI, Reticon
MLML, Mitel, PlesseyRCRaytheon, Reticon
MLAMLREFPMI
MLMMotorolaRLRaytheon, Reticon
MMIntel, NSCRMRaytheon
MMSMotorolaROGIC, Reticon
MNMatsushita, Micro Networks, PlesseyRPTPMI
RVRaytheon
MPIntel, MPS, PlesseyR5Reticon
MPCBBR6Hybrid Systems
MPOPMPSSAmerican Microsystems, Signetics, Siliconix
MPUSMC
MPYIMISASignetics
MPREFMPSSAAMilliard, RTC, Philips, Valvo
MSLOki
MSMOkiSABPhilips, RTC, Telefunken, Valvo
MTMitel, Plessey
MUXGI, PMISADReticon
MVDSI, PlesseySAFPhilips, RTC, Valvo
MWSRCASAHMilliard
MXAmerican Microsystems, DSI, IntelSAJITT, Siemens, Valvo
SAKITT, Valvo
MYATeslaSAMReticon
MZHTeslaSASTelefunken, Oki
MZJTeslaSAYITT
MZKTeslaSBAGI
NSigneticsSBBPhilips, Valvo
NCGI, NitronSBPTexas Instruments (TI)
NCRNCR MicroelectronicsSCNitron
NESigneticsSCBSignetics
NHNSCsecSignetics
NJPlesseySCLSSS
NMCNSCSCMSSS
NMHNSCSCNSignetics

Буквенное обозначение ИМС различных фирм (продолжение)

Буквенное обозначениеФирмаБуквенное обозначениеФирма
sexNSCTBCSiemens
SDNSCTBESiemens
SDASiemens, Philips, ThomsonTBPTI
SESigneticsTCToshiba
SFThomsonTCAITT, Siemens, Valvo, SGS, Philips, RTC, Thomson, Telefunken
SFCThomson
SFFThomson
SGSilicon GeneralTCDToshiba
SHFairchildTCPToshiba
SHCBBTDToshiba, Thomson
SHMDSITDAITT, RTC, SGS, Philips, Siemens, Telefunken, Thomson, Valvo
SISiliconix
SLGI, NSC, Plessey
SLESiemensTDBPhilips, RTC, Siemens, Thomson, Valvo
SMNSC, SSS
SMBTITDCTRW, Siemens, Thomson, Transitron
SMMSuwa
SMPPMITDEThomson, RTC
SNTI, Monolithic MemoriesTDFThomson
SNATITDPToshiba
SNBTITDSTRW
SNCTITEThomson
SNDSSSTEARTC, Philips, Valvo, Mullard, Thomson
SNHTI
SNJTITEBThomson
SNNTITECThomson
SNSTITEEThomson
SNTTITFASiemens
SPAmerican MicrosystemsTFFTransitron
SPBGITGTransitron
SPRGITIFPLATI
SRSMCTILTI
SRMSuwaTIBPALTI
ssGI, SSSTLTI, Telefunken
SSISSITLCTI
sssPMITLESiemens
STKSanyoTMToshiba, Telmos
SUSigneticsTMCTransitron, TRW
SVMSuwaTMDTelmos
SWPMITMFTelmos
SYSynertekTMLTelmos
SYESynertekTMMToshiba
SYMSynertekTMPToshiba
SYXSynertekTMSTI
TSGS, ToshibaTMZTRW
TARCA, ToshibaTNFTransitron
TAAITT, Siemens, SGS, Teleunken, Philips, Mullard, ValvoTOATransitron
TPNSC, Teledyne
TQTQSI
TABMullardTRCTransitron
TACTITSCTeledyne
TADMullard, ReticonTSRTransitron
TAESiemensTTDSI
TAFSiemensTVRTransitron
TALTIUTelefunken, GI, RFT
TATTIUAGI
TBAITT, RTC, Mullard, SGS Siemens, Philips, Telefunken, ValvoUAATelefunken, Thomson, Valvo
UABThomson
TBBSiemensUACThomson

Буквенное обозначение ИМС различных фирм (продолжение)

Буквенное обозначениеФирмаБуквенное обозначениеФирма
UCUnitra, Unitrode, SolitronVIDSI
UCNSpraqueVLVLSI Technology
UCPSpraqueVRDSI
UCQSpraqueVSVLSI Technology
UCSSpraqueVTVLSI Technology
UCXUnitraVUVLSI Technology
UDNSpraqueWSiliconix
UDPSpraqueWDWestern Digital
UDSSpraqueXXicor
UGNSpraqueXRExar
UHNSpraqueZSGS, Zilog
ULAmerican Microsystems, UnitraZLDFerranti
ZNFerranti
ULNSpraqueZNAFerranti
ULSSpraqueZNREFFerranti
UTNSpraqueZSSFerranti
ZSTFerranti
ZXZytrex
ZXCALZytrex
9NFairchild
10GGigabit Logic Inc. (GLI)
VCVLSI Technology11GGLI
VFVLSI Techn., DS112GGLI
VFCBB16GGLI
VHVLSI Technology90GGLI

Конденсаторы

Конденсатор представляет собой систему, включающую два и более электродов, выполненных в виде пластин – обкладок. Они разделяются диэлектриком, который значительно тоньше, чем обкладки конденсатора. Все устройство имеет взаимную емкость и обладает способностью к сохранению электрического заряда. На простейшей схеме конденсатор представлен в виде двух параллельных металлических пластин, разделенных каким-либо диэлектрическим материалом.

На принципиальной схеме рядом с изображением конденсатора указывается его номинальная емкость в микрофарадах (мкФ) или пикофарадах (пФ). При обозначении электролитических и высоковольтных конденсаторов, после номинальной емкости указывается значение максимального рабочего напряжения, измеряемого в вольтах (В) или киловольтах (кВ).

Диоды и стабилитроны

Диоды относятся к простейшим полупроводниковым приборам, функционирующим на основе электронно-дырочного перехода, известного как p-n-переход. Свойство односторонней проводимости наглядно передается на графических обозначениях. Стандартный диод изображается в виде треугольника, символизирующего анод. Вершина треугольника указывает направление проводимости и упирается в поперечную черту, обозначающую катод. Все изображение пересекается по центру линией электрической цепи.

Для маркировки диодов используется буквенное обозначение VD. Оно отображает не только отдельные элементы, но и целые группы, например, диодные мосты. Тип того или иного диода указывается возле его позиционного обозначения.

Базовый символ применяется и для обозначения стабилитронов, представляющих собой полупроводниковые диоды с особыми свойствами. В катоде присутствует короткий штрих, направленный в сторону треугольника, символизирующего анод. Данный штрих располагается неизменно, независимо от положения значка стабилитрона на принципиальной схеме.

Транзисторы

У большинства радиоэлектронных компонентов имеется лишь два вывода. Однако такие элементы как транзисторы оборудованы тремя выводами. Их конструкции отличаются разнообразными типами, формами и размерами. Общие принципы работы у них одинаковые, а небольшие отличия связаны с техническими характеристиками конкретного элемента.

Транзисторы используются преимущественно в качестве электронных коммутаторов для включения и выключения различных устройств. Основное удобство таких приборов заключается в возможности коммутировать большое напряжение с помощью источника малого напряжения.

По своей сути каждый транзистор является полупроводниковым прибором, с помощью которого генерируются, усиливаются и преобразуются электрические колебания. Наибольшее распространение получили биполярные транзисторы с одинаковой электропроводностью эмиттера и коллектора.

На схемах они обозначаются буквенным кодом VT. Графическое изображение представляет собой короткую черточку, от середины которой отходит линия. Данный символ обозначает базу. К ее краям проводятся две наклонные линии под углом 60, отображающие эмиттер и коллектор.

Электропроводность базы зависит от направления стрелки эмиттера. Если она направлена в сторону базы, то электропроводность эмиттера – р, а у базы – n. При направлении стрелки в противоположную сторону, эмиттер и база меняют электропроводность на противоположное значение. Знание электропроводности необходимо для правильного подключения транзистора к источнику питания.

Для того чтобы обозначение на схемах радиодеталей транзистора было более наглядным, оно помещается в кружок, означающий корпус. В некоторых случаях выполняется соединение металлического корпуса с одним из выводов элемента. Такое место на схеме отображается в виде точки, проставляемой там, где вывод пересекается с символом корпуса. Если же на корпусе имеется отдельный вывод, то линия, обозначающая вывод, может подсоединяться к кружку без точки. Возле позиционного обозначения транзистора указывается его тип, что позволяет существенно повысить информативность схемы.

Рейтинг
( 2 оценки, среднее 4.5 из 5 )
Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Для любых предложений по сайту: [email protected]