Система условных обозначений современных типов интегральных микросхем установлена ОСТ 11073915-80. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.
Первый элемент — цифра, обозначающая группу интегральной микросхемы по конструктивно-технологическому исполнению:
1,5,6,7 — полупроводниковые ИМС; 2,4,8 — гибридные; 3 — прочие (пленочные, вакуумные, керамические).
Второй элемент — две или три цифры (от 01 до 99 или от 001 до 999), указывающие на порядковый номер разработки данной серии ИМС.
Первый и второй элемент образуют серию микросхем.
Третий элемент — две буквы, обозначающие функциональную подгруппу и вид микросхемы.
Вычислительные устройства:
ВЕ — микро-ЭВМ; ВМ — микропроцессоры; ВС — микропроцессорные секции; ВУ — устройства микропрограммного управления; ВР — функциональные расширители; ВБ — устройства синхронизации; ВН — устройства управления прерыванием; ВВ — устройства управления вводом — выводом; ВТ — устройства управления памятью; ВФ — функциональные преобразователи информации; ВА — устройства сопряжения с магистралью; ВИ — времязадающие устройства; ВХ — микрокалькуляторы; ВГ — контроллеры; ВК — комбинированные устройства; ВЖ — специализированные устройства; ВП — прочие.
Постоянные резисторы
Название постоянных резисторов связано с их номинальным сопротивлением, которое остается неизменным в течение всего периода эксплуатации. Они различаются между собой в зависимости от конструкции и материалов.
Проволочные элементы состоят из металлических проводов. В некоторых случаях могут использоваться сплавы с высоким удельным сопротивлением. Основой для намотки проволоки служит керамический каркас. Данные резисторы обладают высокой точностью номинала, а серьезным недостатком считается наличие большой собственной индуктивности. При изготовлении пленочных металлических резисторов, на керамическое основание напыляется металл, обладающий высоким удельным сопротивлением. Благодаря своим качествам, такие элементы получили наиболее широкое распространение.
Конструкция угольных постоянных резисторов может быть пленочной или объемной. В данном случае используются качества графита, как материала с высоким удельным сопротивлением. Существуют и другие резисторы, например, интегральные. Они применяются в специфических интегральных схемах, где использование других элементов не представляется возможным.
19.Цифровые устройства:
ИР — регистры; ИМ — сумматоры; ИЛ — полусумматоры; ИЕ — счетчики; ИД — дешифраторы; ИК — комбинированные; ИВ — шифраторы; ИА — арифметико — логические устройства; ИП — прочие.
Четвертый элемент — число, обозначающее порядковый номер разработки микросхемы в серии.
В обозначение также могут быть введены дополнительные символы (от А до Я), определяющие допуски на разброс параметров микросхем и т. п. Перед первым элементом обозначения могут стоять следующие буквы: К — для аппаратуры широкого применения; Э — на экспорт (шаг выводов 2,54 и 1,27 мм); Р — пластмассовый корпус второго типа; М — керамический, металло- или стеклокерамический корпус второго типа; Е — металлополимерный корпус второго типа; А — пластмассовый корпус четвертого типа; И — стеклокерамический корпус четвертого типа Н — кристаллоноситель.
Условные обозначения зарубежных микросхем по системе PRO ELECTRON
За рубежом существуют различные системы кодирования (обозначения, маркировки) ИМС, действующие как в международном масштабе, так и внутри отдельных стран или фирм. В европейских странах система кодирования ИМС аналогична системе, принятой для кодирования дискретных полупроводниковых приборов, и используется полупроводниковыми фирмами различных стран (Англии, Бельгии, Италии, Испании, Нидерландов, Швеции, Франции, ФРГ и др.). Основные принципы кодирования системы, по которой обозначения присваиваются международной организацией Association International Pro Electron, приводятся ниже.
Код состоит из трех букв, за которыми следует серийный номер (например, ТВА810, SAB2000, FLH101).
Первая буква для одиночных схем отражает принцип преобразования сигнала в схеме: S — цифровое; Т — аналоговое; U — смешанное (аналого-цифровое).
Вторая буква не имеет специального значения (выбирается фирмой-изготовителем), за исключением буквы Н, которой обозначаются гибридные схемы. Для серий (семейств) цифровых схем первые две буквы (FA, FB, FC, FD, FE, FF, FJ, FI, FL, FQ, FT, FY, FZ, GA, GB, GD, GF, GM, GT, GX, GY, GZ, НВ, НС) отражают схемотехнологические особенности, например: FY — ЭСЛ-серия; FD, GD — МОП-схемы; FQ — ДТЛ-схемы; GA — маломощные ТТЛ-схемы; FL, GF — стандартные ТТЛ-схемы; GJ — быстродействующие ТТЛ-схемы; GM — маломощные с диодами Шотки ТТЛ-схемы; НВ — комплементарные МОП-схемы серии 4000 А; НС -комплементарные МОП-схемы серии 4500 В.
Третья буква обозначает диапазон рабочих температур или, как исключение, другую важную характеристику: А — температурный диапазон не нормирован; В — от 0 до + 70°С; С — от -55 до +125°С; D — от -25 до +70°С; Е — от -25 до +85°С; F — от -40 до +85°С; G — от -55 до + 85°С.
Затем следует серийный номер, состоящий минимум из четырех цифр. Если он состоит менее чем из четырех цифр, то число цифр увеличивается до четырех добавлением нулей перед ними.
Кроме того, за цифрами может следовать буква для обозначения варианта (разновидности) основного типа. Типы корпусов могут обозначаться одной или двумя буквами. При двухбуквенном обозначении вариантов корпусов (после серийного номера) первая буква отражает конструкцию: С — цилиндрический корпус; D — с двухрядным параллельным расположением выводов (DIP); Е — мощный с двухрядным расположением выводов (с внешним теплоотводом); F — плоский (с двусторонним расположением выводов); G — плоский (четырехсторонним расположением выводов); К — корпус типа ТО-3; М — многорядный (больше четырех рядов); Q — с четырехрядным параллельным расположением выводов; R — мощный с четырехрядным расположением выводов (с внешним теплоотводом); S — с однорядным расположением выводов; Т — с трехрядным расположением выводов. Вторая буква показывает материал корпуса: G — стеклокерамика; М — металл; Р — пластмасса; X — прочие.
Обозначения корпусов с одной буквой: С — цилиндрический; D — керамический; F — плоский; L — ленточный кристаллодержатель; Р — пластмассовый DIP; Q — с четырехрядным расположением выводов; Т — миниатюрный пластмассовый; U — бескорпусная ИМС.
В коде, действовавшем до 1973 г., первые две буквы обозначают то же, что и в современном, а третья буква показывает функциональное назначение: А — линейное усиление; В — частотное преобразование/демодуляция; С — генерация колебаний; Н — логические схемы; J — двухстабильные или мультистабильные схемы (делители частоты, триггеры, счетчики, регистры); К — моностабильные схемы (одновибраторы); L — цифровые преобразователи уровня (дешифраторы, драйверы); М — схемы со сложной логической конфигурацией (например, сумматор); N — двухстабильные или мультистабильные схемы (с длительным хранением информации); Q — оперативное запоминающее устройство (ОЗУ); R — постоянное запоминающее устройство (ПЗУ); S — усилитель считывания с цифровым выходом; Y — прочие схемы.
Следующие затем первые две цифры указывают серийный номер (от 10 до 99), а третья цифра — диапазон рабочих температур: 0 — температурный диапазон не нормирован; 1 — от 0 до +70°С; 2 — от -55 до 125°С; 3 — от -10 до +85°С; 4 — от + 15 до +55°С; 5 — от -25 до +70°С; 6- от -40 до +85°С.
Например, ИМС типа FY H121 является цифровой логической ИМС (буква Н) и относится к семейству FY (ЭСЛ). Она совместима с другими ИМС этой серии (семейства), т. е. используется при таком же напряжении питания, при тех же входных и выходных уровнях, имеет то же быстродействие. Это третий прибор серии (цифра 12), работает в температурном диапазоне от 0 до 70°С.
Буквенное обозначение ИМС различных фирм
Буквенное обозначение | Фирма | Буквенное обозначение | Фирма |
A | RFT | DMPAL | NSC |
AD | Analod Devices (AD) | DMX | PMI |
ADB | National Semiconductor Corp. (NSC) | DN | Matsushita |
DP | NSC | ||
ADC | NSC, Datel, Burr-Brown (BB), Hybrid Systems (HS) | DQ | SEEQ |
DS | GI, NSC | ||
ADD | NSC | E | RFT, SGS |
ADM | NSC | ECG | Sylvania |
ADS | NSC | EF | Thomson |
ADX | NSC | EFB | Thomson |
AF | NSC | EFD | Thomson |
AH | NSC | EFF | Thomson |
AM | Advanced Micro Devices (AMD), NSC, Raytheon, DSI | EFG EFH | Thomson Thomson |
AMPAL | AMD | EFM | Thomson |
AN | Matsushita | EFS | Thomson |
ATF | BB | EFT | Thomson |
AY | General Instrument (GI) | EFY | Thomson |
B | Fujitsu, RFT | EFZ | Thomson |
BA | Rohm | EL | Elcap |
Bt | Brooktree Corp. | EP | Altera |
BUF | Precision Monolithics Inc. (PMI) | ER ESM | GI Thomson |
C | NSC, Fujitsu, RFT | ET | Thomson |
CA | RCA | ETC | Thomson |
CCD | Fairchild | ETL | Thomson |
CD | RCA, NSC | F | Fairchild, Master Logic (ML) |
CDA | Thomson | FC | Mullard |
CDM | RCA | FCH | Valvo |
CDP | RCA | FCK | Valvo |
CF | Harris | FCL | Valvo |
CM | Solitron, Mitel | FCM | Fairchild |
CMP | PMI | FCY | Valvo |
COM | SMC | FD | RTC, Siemens |
COP | NSC | FDN | Valvo |
CP | GI | FDQ | Valvo |
CRT | SMC | FDR | Valvo |
CSC | Crystal Semiconductor | FE | RTC |
CS | Cherry Semiconductor Corp. | FEJ | Valvo |
CU | GI | FEY | Valvo |
CX | Sony | FF | RTC |
CXA | Sony | FGC | Fairchild |
CY | Cypress Semiconductor | FGE | Fairchild |
D | Corp. RFT, Intersil, Siliconix | FJ FK | Mullard, RTC Mullard |
DA-AD | NSC | FL | Siemens |
DAC | BB, Datel, PMI, HS, NSC, Raytheon | FLT FQ | DSI SGS |
DAS | Datel | FWA | Fairchild |
DAX | NSC | FX | Consumer Microcircuits Limited |
DC | Digital Equipment Corp. (DEC) | FY | Siemens |
DCJ | DEC | FZ | Siemens |
DE | SEEQ | FZH | Valvo |
DF | Siliconix | FZJ | Valvo |
DG | Intersil, Siliconix | FZK | Valvo |
DGM | Siliconix | FZL | Valvo |
DH | NSC | G | Siliconix, Intersil |
DI | Dionics | GA | Mostek |
DL | GI, RFT | GAP | PMI |
DM | NSC, SEEQ | GB | Mostek |
Буквенное обозначение ИМС различных фирм (продолжение)
Буквенное обозначение | Фирма | Буквенное обозначение | Фирма |
GD | Siemens | IRK | Sharp |
GE | General Electric (GE) | ISP | NSC |
GEIC | GE | ITT | ITT |
GF | RTC | IX | Intel |
GL | GSS | J | Matsushita |
GT | RTC | JBP | Texas Instruments (TI) |
GX | Siemens, Valvo | KA | Samsung |
GXB | Philips, RTC, Valvo | KB | GI |
GZ | RTC | KM | Samsung |
GZF | Valvo | KR | SMC |
H | Hughes, SGS, Siliconix | KS | Gold Star, Samsung |
HA | Harris, Hitachi | L | SGS, Siliconix |
HAB | Harris, RTC, Valvo | LA | Sanyo, GI |
HAL | Monolithic Memories (MMI) | LAS | Lambda |
HAS | AD | LB | Sanyo |
HBS, HBF | SGS | LC | GI, Sanyo |
HC | Harris, Honeywell, RCA | LD | Siliconix |
HCC | SGS | LE | Sanyo, Seeq |
HCF | SGS-ATES | LF | NSC |
HCMP | Hughes | LFT | NSC |
HD | Harris, Hitachi | LG | GI |
HDS | AD | LH | NSC, Raytheon, Sharp, Siliconix |
HE | Honeywell | LLM | Lambda |
HEF | Mullard, Philips, RTC, Valvo | LM | NSC, Raytheon, Sanyo, Seeq, Siliconix, Signetics |
HI | Harris | ||
HLCD | Hughes | LMC | Lambda |
HM | Harris, Hitachi | LNA | TRW |
HMCS | Hitachi | LP | NSC |
HMMP | Hughes | LPD | Lambda |
HN | Hitachi | LQ | Seeq |
HNVM | Hughes | LR | Sharp |
HPL | Harris | LS | SGS |
HPROM | Harris | LT | Linear Technology Corp. |
HRAM | Harris | LTT | Lighes Telegraphiques Telefoniques |
HROM | Harris | LU | Sharp |
HS | Harris, Hybrid Systems NSC | LZ | Sharp |
HSG | SGS | M | Matsushita, Mitsubishi, SGS, Thomson |
HSSR | Hughes | ||
HSO | RTC | MA | Mitel. Philips |
HT | Harris, Honeywell | MAA | ITT, Tesla |
HX | Philips | MAB | Tesla |
HXA | RTC | MAC | Tesla |
HY | NSC | MAF | Tesla |
IB | Intel | MAS | Tesla |
IC | Intel | MAT | PMI |
ICL | Intersil | Max | Maxim |
ICM | Intersil | MB | Fujitsu, Intel, Philips |
ID | Intel | MBA | Tesla |
IDM | NSC | MBL | Fujitsu |
IH | Intersil, NSC | MBM | Fujitsu |
IM | Intel, Intersil, NSC | MC | Intel, Motorola, Nippon Electric (NEC), Unitra |
IMI | International Microcircuits Inc. (IMI) | MCA | NSC, Tesla |
IMP | NSC | MCB | Motorola |
IMS | Inmos | MCBC | Motorola |
INS | NSC | MCC | Motorola |
IP | Intel | MCCF | Motorola |
IPC | NSC | MCE | Motorola, MCE |
IR | Sharp | MCM | Motorola |
Буквенное обозначение ИМС различных фирм (продолжение)
Буквенное обозначение | Фирма | Буквенное обозначение | Фирма |
MCX | Unitra | NOM | Plessey |
MCY | Unitra | NS | Nitron |
MD | Intel, Mitel, Philips | NSC | NSC |
MDA | Tesla | NSL | NSC |
ME | Philips | OP | PMI |
MEA | Milliard | OPA | BB |
MEB | Philips | PA | RCA |
MEM | GI | PAL | MMI, NSC |
MEN | GI | ||
MF | NSC | PC | GI |
MGB | MCE | PCA | Philips, Valvo |
MGC | MCE | PCB | Milliard, Philips, Valvo |
MH | NSC, Mitel, Tesla | ||
MHA | Tesla | PCC | Philips, Valvo |
MHC | Tesla | PCD | Milliard, Philips, Valvo |
MHD | Tesla | PCE | Philips, Valvo |
MHE | Tesla | PCF | Milliard, Philips, Valvo |
MHF | Tesla | PIC | GI, Unitrode |
MHG | Tesla | PKD | PMI |
MHW | Motorola | PLE | Monolithic Memories |
MIC | ITT | PM | PMI |
MJ | Plessey | PMB | TI |
MJA | Tesla | PMJ | TI |
MJB | Tesla | PNA | Philips, Valvo |
MK | Mostek | PMR | Lambda |
MKB | Mostek | R | Raytheon, Rockwell |
MKJ | Mostek | RA | GI, Reticon |
ML | ML, Mitel, Plessey | RC | Raytheon, Reticon |
MLA | ML | REF | PMI |
MLM | Motorola | RL | Raytheon, Reticon |
MM | Intel, NSC | RM | Raytheon |
MMS | Motorola | RO | GIC, Reticon |
MN | Matsushita, Micro Networks, Plessey | RPT | PMI |
RV | Raytheon | ||
MP | Intel, MPS, Plessey | R5 | Reticon |
MPC | BB | R6 | Hybrid Systems |
MPOP | MPS | S | American Microsystems, Signetics, Siliconix |
MPU | SMC | ||
MPY | IMI | SA | Signetics |
MPREF | MPS | SAA | Milliard, RTC, Philips, Valvo |
MSL | Oki | ||
MSM | Oki | SAB | Philips, RTC, Telefunken, Valvo |
MT | Mitel, Plessey | ||
MUX | GI, PMI | SAD | Reticon |
MV | DSI, Plessey | SAF | Philips, RTC, Valvo |
MWS | RCA | SAH | Milliard |
MX | American Microsystems, DSI, Intel | SAJ | ITT, Siemens, Valvo |
SAK | ITT, Valvo | ||
MYA | Tesla | SAM | Reticon |
MZH | Tesla | SAS | Telefunken, Oki |
MZJ | Tesla | SAY | ITT |
MZK | Tesla | SBA | GI |
N | Signetics | SBB | Philips, Valvo |
NC | GI, Nitron | SBP | Texas Instruments (TI) |
NCR | NCR Microelectronics | SC | Nitron |
NE | Signetics | SCB | Signetics |
NH | NSC | sec | Signetics |
NJ | Plessey | SCL | SSS |
NMC | NSC | SCM | SSS |
NMH | NSC | SCN | Signetics |
Буквенное обозначение ИМС различных фирм (продолжение)
Буквенное обозначение | Фирма | Буквенное обозначение | Фирма |
sex | NSC | TBC | Siemens |
SD | NSC | TBE | Siemens |
SDA | Siemens, Philips, Thomson | TBP | TI |
SE | Signetics | TC | Toshiba |
SF | Thomson | TCA | ITT, Siemens, Valvo, SGS, Philips, RTC, Thomson, Telefunken |
SFC | Thomson | ||
SFF | Thomson | ||
SG | Silicon General | TCD | Toshiba |
SH | Fairchild | TCP | Toshiba |
SHC | BB | TD | Toshiba, Thomson |
SHM | DSI | TDA | ITT, RTC, SGS, Philips, Siemens, Telefunken, Thomson, Valvo |
SI | Siliconix | ||
SL | GI, NSC, Plessey | ||
SLE | Siemens | TDB | Philips, RTC, Siemens, Thomson, Valvo |
SM | NSC, SSS | ||
SMB | TI | TDC | TRW, Siemens, Thomson, Transitron |
SMM | Suwa | ||
SMP | PMI | TDE | Thomson, RTC |
SN | TI, Monolithic Memories | TDF | Thomson |
SNA | TI | TDP | Toshiba |
SNB | TI | TDS | TRW |
SNC | TI | TE | Thomson |
SND | SSS | TEA | RTC, Philips, Valvo, Mullard, Thomson |
SNH | TI | ||
SNJ | TI | TEB | Thomson |
SNN | TI | TEC | Thomson |
SNS | TI | TEE | Thomson |
SNT | TI | TFA | Siemens |
SP | American Microsystems | TFF | Transitron |
SPB | GI | TG | Transitron |
SPR | GI | TIFPLA | TI |
SR | SMC | TIL | TI |
SRM | Suwa | TIBPAL | TI |
ss | GI, SSS | TL | TI, Telefunken |
SSI | SSI | TLC | TI |
sss | PMI | TLE | Siemens |
STK | Sanyo | TM | Toshiba, Telmos |
SU | Signetics | TMC | Transitron, TRW |
SVM | Suwa | TMD | Telmos |
SW | PMI | TMF | Telmos |
SY | Synertek | TML | Telmos |
SYE | Synertek | TMM | Toshiba |
SYM | Synertek | TMP | Toshiba |
SYX | Synertek | TMS | TI |
T | SGS, Toshiba | TMZ | TRW |
TA | RCA, Toshiba | TNF | Transitron |
TAA | ITT, Siemens, SGS, Teleunken, Philips, Mullard, Valvo | TOA | Transitron |
TP | NSC, Teledyne | ||
TQ | TQSI | ||
TAB | Mullard | TRC | Transitron |
TAC | TI | TSC | Teledyne |
TAD | Mullard, Reticon | TSR | Transitron |
TAE | Siemens | TT | DSI |
TAF | Siemens | TVR | Transitron |
TAL | TI | U | Telefunken, GI, RFT |
TAT | TI | UA | GI |
TBA | ITT, RTC, Mullard, SGS Siemens, Philips, Telefunken, Valvo | UAA | Telefunken, Thomson, Valvo |
UAB | Thomson | ||
TBB | Siemens | UAC | Thomson |
Буквенное обозначение ИМС различных фирм (продолжение)
Буквенное обозначение | Фирма | Буквенное обозначение | Фирма |
UC | Unitra, Unitrode, Solitron | VI | DSI |
UCN | Spraque | VL | VLSI Technology |
UCP | Spraque | VR | DSI |
UCQ | Spraque | VS | VLSI Technology |
UCS | Spraque | VT | VLSI Technology |
UCX | Unitra | VU | VLSI Technology |
UDN | Spraque | W | Siliconix |
UDP | Spraque | WD | Western Digital |
UDS | Spraque | X | Xicor |
UGN | Spraque | XR | Exar |
UHN | Spraque | Z | SGS, Zilog |
UL | American Microsystems, Unitra | ZLD | Ferranti |
ZN | Ferranti | ||
ULN | Spraque | ZNA | Ferranti |
ULS | Spraque | ZNREF | Ferranti |
UTN | Spraque | ZSS | Ferranti |
ZST | Ferranti | ||
ZX | Zytrex | ||
ZXCAL | Zytrex | ||
9N | Fairchild | ||
10G | Gigabit Logic Inc. (GLI) | ||
VC | VLSI Technology | 11G | GLI |
VF | VLSI Techn., DS1 | 12G | GLI |
VFC | BB | 16G | GLI |
VH | VLSI Technology | 90G | GLI |
Конденсаторы
Конденсатор представляет собой систему, включающую два и более электродов, выполненных в виде пластин – обкладок. Они разделяются диэлектриком, который значительно тоньше, чем обкладки конденсатора. Все устройство имеет взаимную емкость и обладает способностью к сохранению электрического заряда. На простейшей схеме конденсатор представлен в виде двух параллельных металлических пластин, разделенных каким-либо диэлектрическим материалом.
На принципиальной схеме рядом с изображением конденсатора указывается его номинальная емкость в микрофарадах (мкФ) или пикофарадах (пФ). При обозначении электролитических и высоковольтных конденсаторов, после номинальной емкости указывается значение максимального рабочего напряжения, измеряемого в вольтах (В) или киловольтах (кВ).
Диоды и стабилитроны
Диоды относятся к простейшим полупроводниковым приборам, функционирующим на основе электронно-дырочного перехода, известного как p-n-переход. Свойство односторонней проводимости наглядно передается на графических обозначениях. Стандартный диод изображается в виде треугольника, символизирующего анод. Вершина треугольника указывает направление проводимости и упирается в поперечную черту, обозначающую катод. Все изображение пересекается по центру линией электрической цепи.
Для маркировки диодов используется буквенное обозначение VD. Оно отображает не только отдельные элементы, но и целые группы, например, диодные мосты. Тип того или иного диода указывается возле его позиционного обозначения.
Базовый символ применяется и для обозначения стабилитронов, представляющих собой полупроводниковые диоды с особыми свойствами. В катоде присутствует короткий штрих, направленный в сторону треугольника, символизирующего анод. Данный штрих располагается неизменно, независимо от положения значка стабилитрона на принципиальной схеме.
Транзисторы
У большинства радиоэлектронных компонентов имеется лишь два вывода. Однако такие элементы как транзисторы оборудованы тремя выводами. Их конструкции отличаются разнообразными типами, формами и размерами. Общие принципы работы у них одинаковые, а небольшие отличия связаны с техническими характеристиками конкретного элемента.
Транзисторы используются преимущественно в качестве электронных коммутаторов для включения и выключения различных устройств. Основное удобство таких приборов заключается в возможности коммутировать большое напряжение с помощью источника малого напряжения.
По своей сути каждый транзистор является полупроводниковым прибором, с помощью которого генерируются, усиливаются и преобразуются электрические колебания. Наибольшее распространение получили биполярные транзисторы с одинаковой электропроводностью эмиттера и коллектора.
На схемах они обозначаются буквенным кодом VT. Графическое изображение представляет собой короткую черточку, от середины которой отходит линия. Данный символ обозначает базу. К ее краям проводятся две наклонные линии под углом 60, отображающие эмиттер и коллектор.
Электропроводность базы зависит от направления стрелки эмиттера. Если она направлена в сторону базы, то электропроводность эмиттера – р, а у базы – n. При направлении стрелки в противоположную сторону, эмиттер и база меняют электропроводность на противоположное значение. Знание электропроводности необходимо для правильного подключения транзистора к источнику питания.
Для того чтобы обозначение на схемах радиодеталей транзистора было более наглядным, оно помещается в кружок, означающий корпус. В некоторых случаях выполняется соединение металлического корпуса с одним из выводов элемента. Такое место на схеме отображается в виде точки, проставляемой там, где вывод пересекается с символом корпуса. Если же на корпусе имеется отдельный вывод, то линия, обозначающая вывод, может подсоединяться к кружку без точки. Возле позиционного обозначения транзистора указывается его тип, что позволяет существенно повысить информативность схемы.