Современные технологии полупроводникового производства

Автор статьи — профессиональный репетитор, автор учебных пособий для подготовки к ЕГЭ Игорь Вячеславович Яковлев

Темы кодификатора ЕГЭ: полупроводники, собственная и примесная проводимость полупроводников.

До сих пор, говоря о способности веществ проводить электрический ток, мы делили их на проводники и диэлектрики. Удельное сопротивление обычных проводников находится в интервале Ом·м; удельное сопротивление диэлектриков превышает эти величины в среднем на порядков: Ом·м.

Но существуют также вещества, которые по своей электропроводности занимают промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. Это полупроводники

: их удельное сопротивление при комнатной температуре может принимать значения в очень широком диапазоне Ом·м. К полупроводникам относятся кремний, германий, селен, некоторые другие химические элементы и соединения (Полупроводники чрезвычайно распространены в природе. Например, около 80% массы земной коры приходится на вещества, являющиеся полупроводниками). Наиболее широко примененяются кремний и германий .

Главная особенность полупроводников заключается в том, что их электропроводность резко увеличивается с повышением температуры. Удельное сопротивление полупроводника убывает с ростом температуры примерно так, как показано на рис. 1.

Рис. 1. Зависимость для полупроводника

Иными словами, при низкой температуре полупроводники ведут себя как диэлектрики, а при высокой — как достаточно хорошие проводники. В этом состоит отличие полупроводников от металлов: удельное сопротивление металла, как вы помните, линейно возрастает с увеличением температуры.

Между полупроводниками и металлами имеются и другие отличия. Так, освещение полупроводника вызывает уменьшение его сопротивления (а на сопротивление металла свет почти не оказывает влияния). Кроме того, электропроводность полупроводников может очень сильно меняться при введении даже ничтожного количества примесей.

Опыт показывает, что, как и в случае металлов, при протекании тока через полупроводник не происходит переноса вещества. Стало быть, электрический ток в полупроводниках обусловлен движением электронов.

Уменьшение сопротивления полупроводника при его нагревании говорит о том, что повышение температуры приводит к увеличению количества свободных зарядов в полупроводнике. В металлах ничего такого не происходит; следовательно, полупроводники обладают иным механизмом электропроводности, чем металлы. И причина этого — различная природа химической связи между атомами металлов и полупроводников.

Ковалентная связь

Металлическая связь, как вы помните, обеспечивается газом свободных электронов, который, подобно клею, удерживает положительные ионы в узлах кристаллической решётки. Полупроводники устроены иначе — их атомы скрепляет ковалентная связь

. Давайте вспомним, что это такое.

Электроны, находящиеся на внешнем электронном уровне и называемые валентными

, слабее связаны с атомом, чем остальные электроны, которые расположены ближе к ядру. В процессе образования ковалентной связи два атома вносят «в общее дело» по одному своему валентному электрону. Эти два электрона обобществляются, то есть теперь принадлежат уже обоим атомам, и потому называются
общей электронной парой
(рис. 2).

Рис. 2. Ковалентная связь

Обобществлённая пара электронов как раз и удерживает атомы друг около друга (с помощью сил электрического притяжения). Ковалентная связь — это связь, существующая между атомами за счёт общих электронных пар

. По этой причине ковалентная связь называется также
парноэлектронной
.

Кристаллическая структура кремния

Теперь мы готовы подробнее изучить внутреннее устройство полупроводников. В качестве примера рассмотрим самый распространённый в природе полупроводник — кремний. Аналогичное строение имеет и второй по важности полупроводник — германий.

Пространственная структура кремния представлена на рис. 3 (автор картинки — Ben Mills). Шариками изображены атомы кремния, а трубки, их соединяющие, — это каналы ковалентной связи между атомами.

Рис. 3. Кристаллическая структура кремния

Обратите внимание, что каждый атом кремния скреплён с четырьмя

соседними атомами. Почему так получается?

Дело в том, что кремний четырёхвалентен — на внешней электронной оболочке атома кремния расположены четыре валентных электрона. Каждый из этих четырёх электронов готов образовать общую электронную пару с валентным электроном другого атома. Так и происходит! В результате атом кремния окружается четырьмя пристыковавшимися к нему атомами, каждый из которых вносит по одному валентному электрону. Соответственно, вокруг каждого атома оказывается по восемь электронов (четыре своих и четыре чужих).

Более подробно мы видим это на плоской схеме кристаллической решётки кремния (рис. 4).

Рис. 4. Кристаллическая решётка кремния

Ковалентные связи изображены парами линий, соединяющих атомы; на этих линиях находятся общие электронные пары. Каждый валентный электрон, расположенный на такой линии, большую часть времени проводит в пространстве между двумя соседними атомами.

Однако валентные электроны отнюдь не «привязаны намертво» к соответствующим парам атомов. Происходит перекрытие электронных оболочек всех

соседних атомов, так что любой валентный электрон есть общее достояние всех атомов-соседей. От некоторого атома 1 такой электрон может перейти к соседнему с ним атому 2, затем — к соседнему с ним атому 3 и так далее. Валентные электроны могут перемещаться по всему пространству кристалла — они, как говорят,
принадлежат всему кристаллу
(а не какой-либо одной атомной паре).

Тем не менее, валентные электроны кремния не являются свободными (как это имеет место в металле). В полупроводнике связь валентных электронов с атомами гораздо прочнее, чем в металле; ковалентные связи кремния не разрываются при невысоких температурах. Энергии электронов оказывается недостаточно для того, чтобы под действием внешнего электрического поля начать упорядоченное движение от меньшего потенциала к большему. Поэтому при достаточно низких температурах полупроводники близки к диэлектрикам — они не проводят электрический ток.

Полупроводниковые производства

Ни для кого не секрет, что важным показателем степени развития полупроводниковой промышленности в стране является уровень освоенной технологической нормы. Так, китайская компания SMIC в настоящее время активно осваивает технологический процесс 14 нм, тайваньский TSMC уже производит продукцию на 7 и 5 нм. Южная Корея идет в ногу с TSMC и также изготовляет продукцию с топологией 7 нм, одновременно осваивая технологию 5 нм. В то же время в США запланировано строительство фабрики под 5 нм на период 2024–2029 гг., а Intel участвует в гонках по производству изделий на 7 нм, но сталкивается с трудностями, объявив в июле 2022 года, что производство микросхем следующего поколения будет отложено до 2021 года. Таким образом, самыми передовыми фабриками в области производства полупроводников в настоящее время считаются Samsung (Южная Корея) и TSMC (Тайвань). Эти отраслевые лидеры к середине 2020‑х годов планируют переход на топологию 3 нм [9].

На российском рынке предприятием ПАО «Микрон» освоен техпроцесс 90 нм, который соответствует уровню полупроводниковой технологии, достигнутой в мире в 2002–2003 годах (Intel Pentium 4, Prescott). Также для опытно-конструкторских разработок компанией освоен технологический процесс на 65 нм. Для снижения освоенного уровня топологических норм в январе 2022 года в России утверждено строительство фабрик, способных выпускать чипы с топологией 28 нм и ниже (вплоть до 5 нм). Создание первой фабрики с топологией 28 нм обсуждается на базе предприятия «Ангстрем-Т», но до сих пор стоит вопрос по поставке оборудования для фабрики в связи с санкционной политикой [10]. Пока технологии осваиваются, все разработчики отечественных чипов («Эльбрус», «Байкал» и др.) вынуждены заказывать выпуск продукции за рубежом. В таблице представлена сводная информация по производству полупроводников в разрезе имеющихся у стран топологических возможностей.
Таблица. Производство полупроводников в разрезе имеющихся у стран топологических возможностей

Примечание. Некоторые компании, указанные в вышеприведенной таблице, обладают производственными мощностями, расположенными в странах, не входящих в состав их штаб-квартиры, но включенными в итоговые показатели по странам. Китайская SMIC отмечена как компания, обладающая технологией ниже 10 нм, хотя пока она только пытается ее освоить. Источник: Triolo P., Allison K., The geopolitics of Semiconductors. September 2022.

Процесс выпуска полупроводниковой продукции условно можно разбить на три основных этапа: проектирование интегральной схемы, кристальное производство и корпусирование. Первое и последнее направления в России развиваются достаточно активно. Возьмем, к примеру, корпусирование интегральных схем — неотъемлемый технологический передел производства микроэлектроники, без которого невозможно представить технологическую независимость страны в вопросе производства ИС. Данный этап изготовления интегральных схем становится особенно важным в условиях возможного ограничения доступа российских производителей к технологическим возможностям зарубежных контрактных производств по корпусированию микроэлектроники.

На отечественном рынке представлено несколько предприятий, реализующих процесс корпусирования интегральных схем в широкую номенклатуру корпусов: АО «НИИПП», АО «Группа Кремний Эл», АО «ДжиЭс-Нанотех» и другие компании. Уровень технологии этих предприятий позволяет говорить, что в настоящий момент не существует технических ограничений для локализации передела по корпусированию ИС в России. В то же время, несмотря на наличие необходимых технологий, производственные мощности этих предприятий, которые можно считать полноценными OSAT (Outsourced Semiconductor Assembly And Test — контрактными производствами по корпусированию и тестированию интегральных схем) недозагружены. Российские дизайн-центры и кристальные производства предпочитают корпусировать свои изделия в Юго-Восточной Азии, даже если речь идет об изделиях специального и двойного назначения. Предприятия делают это, ссылаясь на более низкие цены на подобные услуги за рубежом, что в свою очередь создает замкнутый круг, который способны разорвать лишь механизмы стимулирования со стороны государства.

Собственная проводимость

Если включить в электрическую цепь полупроводниковый элемент и начать его нагревать, то сила тока в цепи возрастает. Следовательно, сопротивление полупроводника уменьшается

с ростом температуры. Почему это происходит?

При повышении температуры тепловые колебания атомов кремния становятся интенсивнее, и энергия валентных электронов возрастает. У некоторых электронов энергия достигает значений, достаточных для разрыва ковалентных связей. Такие электроны покидают свои атомы и становятся свободными

(или
электронами проводимости
) — точно так же, как в металле. Во внешнем электрическом поле свободные электроны начинают упорядоченное движение, образуя электрический ток.

Чем выше температура кремния, тем больше энергия электронов, и тем большее количество ковалентных связей не выдерживает и рвётся. Число свободных электронов в кристалле кремния возрастает, что и приводит к уменьшению его сопротивления.

Разрыв ковалентных связей и появление свободных электронов показан на рис. 5. На месте разорванной ковалентной связи образуется дырка

— вакантное место для электрона. Дырка имеет
положительный
заряд, поскольку с уходом отрицательно заряженного электрона остаётся нескомпенсированный положительный заряд ядра атома кремния.

Рис. 5. Образование свободных электронов и дырок

Дырки не остаются на месте — они могут блуждать по кристаллу. Дело в том, что один из соседних валентных электронов, «путешествуя» между атомами, может перескочить на образовавшееся вакантное место, заполнив дырку; тогда дырка в этом месте исчезнет, но появится в том месте, откуда электрон пришёл.

При отсутствии внешнего электрического поля перемещение дырок носит случайный характер, ибо валентные электроны блуждают между атомами хаотически. Однако в электрическом поле начинается направленное

движение дырок. Почему? Понять это несложно.

На рис. 6 изображён полупроводник, помещённый в электрическое поле . В левой части рисунка — начальное положение дырки.

Рис. 6. Движение дырки в электрическом поле

Куда сместится дырка? Ясно, что наиболее вероятны перескоки «электрон > дырка» в направлении против

линий поля (то есть к «плюсам», создающим поле). Один из таких перескоков показан в средней части рисунка: электрон прыгнул влево, заполнив вакансию, а дырка, соответственно, сместилась вправо. Следующий возможный скачок электрона, вызванный электрическим полем, изображён в правой части рисунка; в результате этого скачка дырка заняла новое место, расположенное ещё правее.

Мы видим, что дырка в целом перемещается по направлению

линий поля — то есть туда, куда и полагается двигаться положительным зарядам. Подчеркнём ещё раз, что направленное движение дырки вдоль поля вызвано перескоками валентных электронов от атома к атому, происходящими преимущественно в направлении против поля.

Таким образом, в кристалле кремния имеется два типа носителей заряда: свободные электроны и дырки. При наложении внешнего электрического поля появляется электрический ток, вызванный их упорядоченным встречным движением: свободные электроны перемещаются противоположно вектору напряжённости поля , а дырки — в направлении вектора .

Возникновение тока за счёт движения свободных электронов называется электронной проводимостью

, или
проводимостью n-типа
. Процесс упорядоченного перемещения дырок называется
дырочной проводимостью
,или
проводимостью p-типа
(от первых букв латинских слов negativus (отрицательный) и positivus (положительный)). Обе проводимости — электронная и дырочная — вместе называются
собственной проводимостью
полупроводника.

Каждый уход электрона с разорванной ковалентной связи порождает пару «свободный электрон–дырка». Поэтому концентрация свободных электронов в кристалле чистого кремния равна концентрации дырок. Соответственно, при нагревании кристалла увеличивается концентрация не только свободных электронов, но и дырок, что приводит к возрастанию собственной проводимости полупроводника за счёт увеличения как электронной, так и дырочной проводимости.

Наряду с образованием пар «свободный электрон–дырка» идёт и обратный процесс: рекомбинация

свободных электронов и дырок. А именно, свободный электрон, встречаясь с дыркой, заполняет эту вакансию, восстанавливая разорванную ковалентную связь и превращаясь в валентный электрон. Таким образом, в полупроводнике устанавливается
динамическое равновесие
: среднее число разрывов ковалентных связей и образующихся электронно-дырочных пар в единицу времени равно среднему числу рекомбинирующих электронов и дырок. Это состояние динамического равновесия определяет равновесную концентрацию свободных электронов и дырок в полупроводнике при данных условиях.

Изменение внешних условий смещает состояние динамического равновесия в ту или иную сторону. Равновесное значение концентрации носителей заряда при этом, естественно, изменяется. Например, число свободных электронов и дырок возрастает при нагревании полупроводника или при его освещении.

При комнатной температуре концентрация свободных электронов и дырок в кремнии приблизительно равно см. Концентрация же атомов кремния — порядка см. Иными словами, на атомов кремния приходится лишь один свободный электрон! Это очень мало. В металлах, например, концентрация свободных электронов примерно равна концентрации атомов. Соответственно, собственная проводимость кремния и других полупроводников при нормальных условиях мала по сравнению с проводимостью металлов

.

Мировой рынок

С момента изобретения транзистора в 1947 году полупроводниковая промышленность остается процветающей отраслью с объемом производства в $440,4 млрд в 2022 году [1], которая дала толчок для роста и развития практически всей современной индустрии. Вопреки глобальному кризису 2022 года, полупроводниковая промышленность оправилась от спада 2019‑го (рост составил 6,8%) [1] и в ближайшее время будет стремительно развиваться. По прогнозам WSTS, в 2021 году мировой рынок полупроводниковых приборов вырастет на 8,4%, в основном благодаря значительному увеличению выпуска элементов памяти и оптоэлектроники [2]. Ожидается, что по всем остальным категориям продукции и во всех регионах будет также наблюдаться положительная динамика. На рис. 1 представлен мировой объем производства полупроводниковой промышленности за 2010–2021 гг.

Рис. 1. Объем производства мирового рынка полупроводниковой промышленности 2010–2021 гг. и прогноз на 2022 г. (млрд $) Источник: SIA, WSTS, Statista

Примесная проводимость

Важнейшей особенностью полупроводников является то, что их удельное сопротивление может быть уменьшено на несколько порядков в результате введения даже весьма незначительного количества примесей. Помимо собственной проводимости у полупроводника возникает доминирующая примесная проводимость

. Именно благодаря этому факту полупроводниковые приборы нашли столь широкое применение в науке и технике. Предположим, например, что в расплав кремния добавлено немного пятивалентного мышьяка . После кристаллизации расплава оказывается, что атомы мышьяка занимают места в некоторых узлах сформировавшейся кристаллической решётки кремния.

На внешнем электронном уровне атома мышьяка имеется пять электронов. Четыре из них образуют ковалентные связи с ближайшими соседями — атомами кремния (рис. 7). Какова судьба пятого электрона, не занятого в этих связях?

Рис. 7. Полупроводник n-типа

А пятый электрон становится свободным! Дело в том, что энергия связи этого «лишнего» электрона с атомом мышьяка, расположенным в кристалле кремния, гораздо меньше энергии связи валентных электронов с атомами кремния. Поэтому уже при комнатной температуре почти все атомы мышьяка в результате теплового движения остаются без пятого электрона, превращаясь в положительные ионы. А кристалл кремния, соответственно, наполняется свободными электронами, которые отцепились от атомов мышьяка.

Наполнение кристалла свободными электронами для нас не новость: мы видели это и выше, когда нагревался чистый

кремний (без каких-либо примесей). Но сейчас ситуация принципиально иная:
появление свободного электрона, ушедшего из атома мышьяка, не сопровождается появлением подвижной дырки
. Почему? Причина та же — связь валентных электронов с атомами кремния гораздо прочнее, чем с атомом мышьяка на пятой вакансии, поэтому электроны соседних атомов кремния и не стремятся эту вакансию заполнить. Вакансия, таким образом, остаётся на месте, она как бы «приморожена» к атому мышьяка и не участвует в создании тока.

Таким образом, внедрение атомов пятивалентного мышьяка в кристаллическую решётку кремния создаёт электронную проводимость, но не приводит к симметричному появлению дырочной проводимости

. Главная роль в создании тока теперь принадлежит свободным электронам, которые в данном случае называются
основными носителями
заряда.

Механизм собственной проводимости, разумеется, продолжает работать и при наличии примеси: ковалентные связи по-прежнему рвутся за счёт теплового движения, порождая свободные электроны и дырки. Но теперь дырок оказывается гораздо меньше, чем свободных электронов, которые в большом количестве предоставлены атомами мышьяка. Поэтому дырки в данном случае будут неосновными носителями

заряда.

Примеси, атомы которых отдают свободные электроны без появления равного количества подвижных дырок, называются донорными

. Например, пятивалентный мышьяк — донорная примесь. При наличии в полупроводнике донорной примеси основными носителями заряда являются свободные электроны, а неосновными — дырки; иными словами, концентрация свободных электронов намного превышает концентрацию дырок. Поэтому полупроводники с донорными примесями называются
электронными полупроводниками
, или
полупроводниками n-типа
(или просто
n-полупроводниками
).

А насколько, интересно, концентрация свободных электронов может превышать концентрацию дырок в n-полупроводнике? Давайте проведём простой расчёт.

Предположим, что примесь составляет , то есть на тысячу атомов кремния приходится один атом мышьяка. Концентрация атомов кремния, как мы помним, порядка см.

Концентрация атомов мышьяка, соответственно, будет в тысячу раз меньше: см. Такой же окажется и концентрация свободных электронов, отданных примесью — ведь каждый атом мышьяка отдаёт по электрону. А теперь вспомним, что концентрация электронно-дырочных пар, появляющихся при разрывах ковалентных связей кремния, при комнатной температуре примерно равна см. Чувствуете разницу? Концентрация свободных электронов в данном случае больше концентрации дырок на порядков, то есть в миллиард раз! Соответственно, в миллиард раз уменьшается удельное сопротивление кремниевого полупроводника при введении столь небольшого количества примеси.

Приведённый расчёт показывает, что в полупроводниках n-типа основную роль действительно играет электронная проводимость. На фоне столь колоссального превосходства численности свободных электронов вклад движения дырок в общую проводимость пренебрежимо мал.

Можно, наоборот, создать полупроводник с преобладанием дырочной проводимости. Так получится, если в кристалл кремния внедрить трёхвалентную примесь — например, индий . Результат такого внедрения показан на рис. 8.

Рис. 8. Полупроводник p-типа

Что происходит в этом случае? На внешнем электронном уровне атома индия расположены три электрона, которые формируют ковалентные связи с тремя окружающими атомами кремния. Для четвёртого соседнего атома кремния у атома индия уже не хватает электрона, и в этом месте возникает дырка.

И дырка эта не простая, а особенная — с весьма большой энергией связи. Когда в неё попадёт электрон из соседнего атома кремния, он в ней «застрянет навеки», ибо притяжение электрона к атому индия весьма велико — больше, чем к атомам кремния. Атом индия превратится в отрицательный ион, а в том месте, откуда электрон пришёл, возникнет дырка — но теперь уже обыкновенная подвижная дырка в виде разорванной ковалентной связи в кристаллической решётке кремния. Эта дырка обычным образом начнёт блуждать по кристаллу за счёт «эстафетной» передачи валентных электронов от одного атома кремния к другому.

И так, каждый примесный атом индия порождает дырку, но не приводит к симметричному появлению свободного электрона. Такие примеси, атомы которых захватывают «намертво» электроны и тем самым создают в кристалле подвижную дырку, называются акцепторными

.

Трёхвалентный индий — пример акцепторной примеси.

Если в кристалл чистого кремния ввести акцепторную примесь, то число дырок, порождённых примесью, будет намного больше числа свободных электронов, возникших за счёт разрыва ковалентных связей между атомами кремния. Полупроводник с акцепторной примесью — это дырочный полупроводник

, или
полупроводник p-типа
(или просто
p-полупроводник
).

Дырки играют главную роль при создании тока в p-полупроводнике; дырки — основные носители заряда

. Свободные электроны —
неосновные носители
заряда в p-полупроводнике. Движение свободных электронов в данном случае не вносит существенного вклада: электрический ток обеспечивается в первую очередь дырочной проводимостью.

Применение

Од­ной из глав­ных об­лас­тей при­ме­не­ния П. м. яв­ля­ет­ся мик­ро­элек­тро­ни­ка. П. м. со­став­ля­ют ос­но­ву совр. ин­те­граль­ных схем, ко­то­рые вы­пол­ня­ют гл. обр. на ос­но­ве Si. Даль­ней­ший про­гресс в по­вы­ше­нии бы­ст­ро­дей­ст­вия и сни­же­нии по­треб­ляе­мой мощ­но­сти свя­зан с соз­да­ни­ем ин­те­граль­ных схем на ос­но­ве GaAs, InP и их твёр­дых рас­тво­ров с др. со­еди­не­ния­ми ти­па АIIIВV. П.м. ши­ро­ко ис­поль­зу­ют для из­го­тов­ле­ния си­ло­вых элек­трон­ных при­бо­ров (вен­ти­ли, мощ­ные тран­зи­сто­ры, ти­ри­сто­ры). Здесь так­же осн. ма­те­риа­лом яв­ля­ет­ся Si, а даль­ней­шее про­дви­же­ние в об­ласть бо­лее вы­со­ких ра­бо­чих темп-р свя­за­но с при­ме­не­ни­ем GaAs, SiC и др. ши­ро­козон­ных П. м. По­сто­ян­но рас­ши­ря­ет­ся сфе­ра при­ме­не­ния П. м. в сол­неч­ной энер­ге­ти­ке. Осн. П. м. для из­го­тов­ле­ния сол­неч­ных ба­та­рей яв­ля­ют­ся Si, GaAs, ге­те­ро­ст­рук­ту­ры GaxAl1–xAs/GaAs, Cu2S/CdS, α-Si:H, ге­те­ро­ст­рук­ту­ры α-Si:H/α-SixC1–x:H. С ис­поль­зо­ва­ни­ем в сол­неч­ных ба­та­ре­ях не­кри­стал­лич. гид­ри­ро­ван­ных П. м. свя­за­ны пер­спек­ти­вы рез­ко­го сни­же­ния стои­мо­сти сол­неч­ных ба­та­рей. П. м. ши­ро­ко при­ме­ня­ют­ся для соз­да­ния ПП ла­зе­ров и све­тодио­дов. Ла­зе­ры вы­пол­ня­ют на ос­но­ве ря­да пря­мо­зон­ных со­еди­не­ний типа АIIIBV, AIIBIV, AIVBVI и др. Важ­ней­шие ма­те­риа­лы для из­го­тов­ле­ния ла­зе­ров – ге­те­ро­ст­рук­ту­ры: GaxAl1–xAs/GaAs, GaxIn1–xAsyP1–y/InP, GaxIn1–xAs/InP, GaxIn1–xAsyP1–y/GaAs1–xPx. Для из­го­тов­ле­ния све­то­дио­дов ис­поль­зу­ют GaAs, GaP, GaAs1–xPx, GaxIn1–xAs, GaxAl1–xAs, GaN и др. П. м. со­став­ля­ют ос­но­ву совр. при­ём­ни­ков оп­тич. из­лу­че­ния (фо­то­при­ём­ни­ков). Фо­то­при­ём­ни­ки, пред­на­зна­чен­ные для ра­бо­ты в ши­ро­ком спек­траль­ном диа­па­зо­не, из­го­тов­ля­ют на ос­но­ве Ge, Si, GaAs, GaP, InSb, InAs, GaxAl1–xAs, GaxIn1–xAs, GaxIn1–xAsyP1–y, CdxHg1–xТе, PbxSn1–xTe и др. ПП ла­зе­ры и фо­то­при­ём­ни­ки – важ­ней­шие со­став­ляю­щие эле­мент­ной ба­зы во­ло­кон­но-оп­тич. ли­ний свя­зи. П. м. ис­поль­зу­ют­ся так­же для со­зда­ния разл. СВЧ-при­бо­ров (напр., би­по­ляр­ные и по­ле­вые СВЧ-тран­зи­сто­ры, ла­вин­но-про­лёт­ные дио­ды, Ган­на дио­ды), де­тек­то­ров ио­ни­зи­рую­щих из­лу­че­ний, а так­же тен­зо­датчи­ков, вы­со­ко­чув­ст­вит. тер­мо­мет­ров, дат­чи­ков маг­нит­ных по­лей, мо­ду­ля­то­ров све­та и др.