Биполярный транзистор
Полупроводниковое устройство состоит из трех разных по проводимости слоев, к каждому из которых подсоединены проводящие контакты.
По степени электропроводности коллекторный, базовый и эмиттерный слой отличаются мало, но при производстве подвергаются разному уровню легирования:
- Первый легируется слабо, что дает возможность повысить коллекторный вольтаж.
- В эмиттерный добавляют много примесей при изготовлении. Объем обратного пробойного напряжения не становится критичным, т. к. приборы функционируют с прямосмещенным переходом. Усиленное легирование дает повышенную инжекцию вторичных зарядоносителей в базовый слой.
Базовая прослойка легируется мало, т. к. находится между коллектором и эмиттером, этот слой должен показывать большое сопротивление.
Как работает
Зарядные носители передвигаются к коллектору сквозь тонкий базовый слой. Средняя прослойка отделена от верхнего и нижнего p-n переходами.
Особенности функционирования:
- Ток проходит сквозь транзистор, если зарядные носители инжектируются посредством p-n перехода в базовую прослойку из эмиттерной.
- В результате снижается потенциальная преграда при подаче прямого смещения.
- В базовой прослойке инжектируемые заряды — не основные носители, поэтому ускоряются и поступают в другие p-n переходы к коллекторному пласту от базовой прослойки.
- В базе заряды распространяются под действием диффузии или электрического поля.
Эффективность транзистора повышается, если использована тонкая базовая прослойка, но чрезмерное утончение снижает предел допустимого вольтажа коллектора.
Схема включения
Для установки в схему у транзистора есть три вывода. При подключении один контакт определяют, как общий.
Различают схемы подсоединения:
- С совместным эмиттером. Часто используемая схема усиливает ток и напряжение (отмечается наибольшее повышение мощности). Входной импульс поступает на базовый слой со стороны эмиттера, снимается — с коллектора и инвертируется.
- С совместным коллектором. Повышается только электроток, коэффициент усиления вольтажа равен 1, сопротивление на входе высокое, а на выходе маленькое. Подключение поддерживает большой промежуток усиливаемых частот.
Если общим при подсоединении служит базовый слой, усиливается напряжение, поэтому его используют чаще в составных системах, но не в однотранзисторных.
Литература по электронике
Наука, которая изучает транзисторы и другие приборы, называется электроника. Целый ее раздел посвящён полупроводниковым приборам. Если вам интересно получить больше информации о работе транзисторов, можно почитать следующие книги по этой тематике:
- Цифровая схемотехника и архитектура компьютера — Дэвид М.
- Операционные системы. Разработка и реализация — Эндрю Т.
- Силовая электроника для любителей и профессионалов — Б. Ю. Семенов .
В этих книгах описываются различные средства программируемой электроники. Конечно же, в основе всех программируемых схем, лежат транзисторы. Благодаря этим книгам вы не только получите новые знания о транзисторах, но и навыки, которые, возможно, принесут вам доход.
Теперь вы знаете, как работают транзисторы, и где они применяются в жизни. Если вам интересна эта тема, продолжайте её изучать, ведь прогресс не стоит на месте, и все технические устройства постоянно совершенствуются. В этом деле очень важно идти в ногу со временем. Успехов вам!
Источники
- https://habr.com/ru/post/133136/
- https://principraboty.ru/princip-raboty-tranzistora/
- https://odinelectric.ru/knowledgebase/kak-rabotaet-tranzistor-i-gde-ispolzuetsya
- https://rusenergetics.ru/oborudovanie/skhema-tranzistora
- https://RadioStorage.net/1670-tranzistory-osnovnye-parametry-i-harakteristiki-markirovka-tranzistorov.html
- https://tokar.guru/hochu-vse-znat/tranzistor-vidy-primenenie-i-principy-raboty.html
- https://www.RusElectronic.com/chitaem-elektricheskie-skhemy-s-tranzistorami/
Помогла вам статья?
Полевой транзистор
Назначение то же, что и биполярного, но разное строение. Транзисторы координируют более высокие мощности при аналогичных размерах.
В структуре есть элементы:
- сток для приемки большого напряжения;
- затвор для управляемого напряжения;
- исток для раздачи напряжения при открытом положении.
Валера
Голос строительного гуру
Задать вопрос
Различают устройства полевого типа: с управлением посредством p-n-перехода, с электроизолированным затвором. В первом случае на противоположных боках полупроводника получаются участки разной электропроводимости для управления электротоком. Во втором виде затвор отделен от канала диэлектрическим материалом.
Как работает
В устройстве полевого типа ток проходит к стоку сквозь канал в легированном проводнике под затвором. Он расположен между нелегированной прослойкой (в ней отсутствуют зарядные носители) и затвором. Здесь присутствует участок обеднения, где ток не проводится.
Размер канала по ширине ограничен областью между участком обеднения и прослойкой. Силой тока управляют с помощью изменения вольтажа, приложенного к затвору. В этом случае меняется канальное сечение, и ток на выходе меняет величину.
Схемы включения
Полевые транзисторы подключают одним из трех способов:
- с общим стоком;
- с совместным истоком;
- с общей базой.
Схема с общим стоком аналогична подключению биполярного модуля с совместным коллектором. Используют тип подсоединения в согласующихся каскадах, где нужно входное напряжение большое, а на выходе — низкое. Включение поддерживает широкий диапазон частот.
Схема с общим истоком дает большое увеличение мощности и электротока, при этом фаза напряжения контура стока переворачивается. Сопротивление на входе может быть несколько сотен мегаОм, чтобы его снизить, добавляют между истоком и затвором резистор.
В схеме с общим затвором нет усиления электротока, повышение мощности небольшое. Напряжение находится в аналогичной фазе с управляющим. При изменении входного импульса напряжение на истоке повышается или понижается.
Цветовая и цифровая маркировка
Транзисторы, как и другие радиокомпоненты, маркируют с помощью цветового кода. Цветовой код состоит из изображения геометрических фигур (треугольников, квадратов, прямоугольников и др.), цветных точек и латинских букв.
Код наносится на плоских частях, крышке и других местах транзистора. По нему можно узнать тип транзистора, месяц и год изготовления. Места маркировки и расшифровка цветовых кодов некоторых типов транзисторов приведены на рис. 2…3 и в табл. 1…4. Практикуется также маркировка некоторых типов транзисторов цифровым кодом (табл. 4).
Таблица 1. Цветовая и кодовая маркировки маломощных среднечастотных и высокочастотных транзисторов.
Тип транзистора | Группы транзисторов | Месяц выпуска | Год выпуска | ||||
Обозначение | Маркировка | Обозначение | Маркировка | Обозначение | Маркировка | Обозначение | Маркировка |
ян в. | бежевая | ||||||
А | розовая | фев. | синяя | 1977 | бежевая | ||
Б | желтая | март | зеленая | 1978 | еалатовая | ||
В | синяя | апр. | красная | 1979 | оранжевая | ||
Г | бежевая | май | еалатовая | 1980 | электрик | ||
Д | оранжевая | июнь | серая | 1981 | бирюзовая | ||
КТ3107 | голубая | Е | электрик | июль | коричневая | 1982 | белая |
Ж | еалатовая | авг. | оранжевая | 1983 | красная | ||
И | зеленая | сент. | электрик | 1984 | коричневая | ||
К | красная | окт. | белая | 1985 | зеленая | ||
Л | серая | ноябр. | желтая | 1986 | голубая | ||
декаб. | голубая |
Таблица 2. Цветовая маркировка транзистора КТ3107 .
Рис. 2. Места цветовой и кодовой маркировки маломощных среднечастотных и высокочастотных транзисторов в корпусе КТ-26 (ТО-92).
Рис. 3. Места цветовой маркировки транзистора КТ3107 в корпусе КТ-26 (ТО-92).
Рис. 4. Места кодовой маркировки транзисторов в корпусе КТ-27 (ТО-126).
Таблица 3. Цветовая и кодовая маркировки транзисторов.
Код | Тип |
4 | КТ814 |
5 | КТ815 |
6 | КТ816 |
7 | КТ817 |
8 | КТ683 |
9 | КТ9115 |
12 | К.У112 |
40 | КТ940 |
Год выпуска | Код | Месяц выпуска | Код |
1986 | и | Январь | 1 |
1987 | V | Февраль | 2 |
1988 | W | Март | 3 |
1989 | X | Апрель | 4 |
1990 | А | Май | 5 |
1991 | В | Июнь | 6 |
1992 | С | Июль | 7 |
1993 | D | Август | 8 |
1994 | Е | Сентябрь | 9 |
1995 | F | Октябрь | 0 |
1996 | Н | Ноябрь | N |
1997 | 1 | Декабрь | D |
1998 | К | — | — |
1999 | L | — | — |
2000 | М | — | — |
Таблица 4. Кодовая маркировка мощных транзисторов.
Комбинированные транзисторы
Гибрид полевого и биполярного устройства обладает положительными чертами двух приборов. Суть с том, что биполярный транзистор большой мощности управляется полевым. Большую нагрузку можно изменять, используя малую мощность, т. к. регулирующий импульс подается на затвор устройства полевого типа.
Внутреннее строение комбинированных транзисторов — каскадное подсоединение двух входных ключей для регулировки конечного плюса. При подаче положительного вольтажа с истока на затвор начинает работать полевой тип, возникает канал передачи между истоком и стоком.
Перемещение зарядных носителей между участками p-n переходов включает биполярное устройство, поэтому происходит перемещение электротока к коллектору от эмиттера.
Принцип работы прибора
Транзистор — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического сигнала. Благодаря особому строению кристаллических решёток и полупроводниковым свойствам, этот прибор способен увеличивать амплитуду протекающего тока.
Полупроводники — вещества, которые способны проводить ток, а также препятствовать его прохождению. Самыми яркими их представителями являются кремний и германий. Существует два вида полупроводников:
- Электронные.
- Дырочные.
В полупроводниках электрический ток возникает из-за недостатка или переизбытка свободных электронов. Например, кристаллическая решётка атома состоит из трёх электронов. Однако если ввести в это вещество атом, состоящий из четырёх электронов, один будет лишним. Он является свободным электроном. Соответственно, чем больше таких электронов, тем ближе это вещество по своим свойствам к металлу. А значит, и проводимость тока больше. Такие полупроводники называются электронными.
Теперь поговорим о дырочных. Для их создания в вещество вводятся атомы другого вещества, кристаллическая решётка которого содержит больше атомов. Соответственно, в нашем полупроводнике становится меньше электронов. Образуются вакантные места для электронов. Валентные связи будут разрушаться, так как электроны будут стремиться занять эти вакантные места. Далее, мы будем называть их дырками.
Электроны постоянно стремятся занять дырку и, начиная движение, образуют новую дырку. Таким поведением обладают абсолютно все электроны. В полупроводнике происходит их движение, а значит, начинает проводиться ток. Такие полупроводники называются дырочными.
Таким образом, вводя недостаток или избыток электронов в кремний или германий, мы способствуем их движению. Получается ток. Транзисторы состоят из соединений этих полупроводников по определённому принципу. С их помощью можно управлять протекающими токами и другими параметрами электрических сигналов.