Методическое пособие «Интегральные микросхемы»учебно-методическое пособие по теме

Размеры обозначений

Выборка материалов из ГОСТ, имеющих отношение к размерам изображений условных графических обозначений элементов электрических схем.

Все изображения вставлены из ГОСТ без изменений.

ГОСТ 2.701-84 Схемы виды и типы. Общие требования к выполнению (фрагмент)

2.4.2. Условные графические обозначения элементов изображают в размерах, установленных в стандартах на условные графические обозначения. Условные графические обозначения, соотношения размеров которых приведены в соответствующих стандартах на модульной сетке, должны изображаться на схемах в размерах, определяемых по вертикали и горизонтали количеством шагов модульной сетки М (черт. 2а). При этом шаг модульной сетки для каждой схемы может быть любым, но одинаковым для всех элементов и устройств данной схемы.

Черт. 2а

Условные графические обозначения элементов, размеры которых в указанных стандартах не установлены, должны изображать на схеме в размерах, в которых они выполнены в соответствующих стандартах на условные графические обозначения.

Размеры условных графических обозначений, а также толщины их линий должны быть одинаковыми на всех схемах для данного изделия (установки).

Примечания:

1. Все размеры графических обозначений допускается пропорционально изменять.

2. Условные графические обозначения элементов, используемых как составные части обозначений других элементов (устройств), допускается изображать уменьшенными по сравнению с остальными элементами (например, резистор в ромбической антенне, клапаны в разделительной панели).

ГОСТ 2.722-68 Машины электрические (фрагмент)

9. Размеры основных элементов условных графических обозначений, табл. 3.

ГОСТ 2.721-74 Обозначения общего применения. Таблица 7

ГОСТ 2.728-74 Резисторы, конденсаторы (фрагмент)

7. Размеры условных графических обозначений приведены в табл. 6. Все геометрические элементы условных графических обозначений следует выполнять линиями той же толщины, что и линии электрической связи.

Таблица 6

ГОСТ 2.730-73 Приборы полупроводниковые (фрагмент)

ПРИЛОЖЕНИЕ 2 Справочное Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений

ГОСТ 2.732-68 ИСТОЧНИКИ СВЕТА (фрагмент)

4. Размеры условного графического обозначения лампы накаливания

ГОСТ 2.747-68 Размеры условных графических обозначений (фрагмент)

2. Размеры условных графических обозначений приведены в таблице.

ГОСТ 2.755-87 УСТРОЙСТВА КОММУТАЦИОННЫЕ И КОНТАКТНЫЕ СОЕДИНЕНИЯ (фрагмент)

Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений приведены в табл.10. Таблица 10

ГОСТ 2.756-76 ВОСПРИНИМАЮЩАЯ ЧАСТЬ ЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВ (фрагмент)

Таблица 2

ГОСТ 2.767-89 РЕЛЕ ЗАЩИТЫ (фрагмент)

Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений Таблица 4

ГОСТ 2.768?90 ИСТОЧНИКИ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИЕ, ЭЛЕКТРОТЕРМИЧЕСКИЕ И ТЕПЛОВЫЕ (фрагмент)

СООТНОШЕНИЕ РАЗМЕРОВ ОСНОВНЫХ УСЛОВНЫХ ГРАФИЧЕСКИХ ОБОЗНАЧЕНИЙ

Дополнительно рекомендую прочитать статью: Размеры обозначений в электрических схемах.

Методическое пособие «Интегральные микросхемы»учебно-методическое пособие по теме

ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ

Основы микроэлектроники

1) Классификация и УГО интегральных микросхем (ИМС).

2) Элементы и компоненты гибридных ИМС (ГИС).

3) Элементы и компоненты полупроводниковых ИМС.

1. Классификация и УГО интегральных микросхем.

ИМС – микроэлектронное устройство, выполняющее функции целой электрической схемы и выполненное как единое целое.

Классифицируют ИМС по следующим признакам:

1. По технологии изготовления:

Плёночные – это ИМС, у которых все элементы выполнены в виде тонких плёнок, нанесённых на диэлектрическое основание, т. е. подложку.

Гибридные (ГИС) – это ИМС, у которых пассивные элементы выполнены по тонко — плёночной технологии, а активные элементы выполнены как отдельные, навесные, бескорпусные.

Полупроводниковые ИМС–это микросхемы, у которых все элементы «выращены» в кристалле полупроводника.

1. 2.По способу преобразования и обработки информации имеется два вида ИМС:

Аналоговые ИМС–с непрерывной обработкой информации (смотрите процесс, запечатлённый, на рисунке 145);

Цифровые ИМС – с дискретной обработкой информации (смотрите рисунок146).

Рис. 57 Рис. 58

1. По степени интеграции: К = lgN

N – количество элементов в одном корпусе микросхемы.

Система обозначений ИМС

1–серия ИМС. В одну серию объединяются ИМС, разработанные на основе единых схемотехнических решений и выполненные по одной технологии. Первая цифра серии – технологический признак ИМС:

1, 5, 7, 8 – полупроводниковые ИМС; 2, 4, 6, 8 – гибридные ИМС;

3 – все прочие.

2– группа ИМС по функциональному назначению: У – усилители

Г – генераторы

А – формирователи сигналов

Е – вторичные источники питания (ВИП) Х – многофункциональные схемы

Л – логические схемы Т – триггеры

И – схемы цифровых устройств

В– схемы вычислительных устройств и микро ЭВМР – элементы памяти

3–подгруппа, уточняющая функциональный признак. В ней обозначения могут записываться так: УН, УВ, УН, УТ, УД. УН, например, обозначает «усилитель низкочастотный».

4–вид ИМС по своим электрическим параметрам (для аналоговых ИМС) или же дальнейшее уточнение функций (для цифровых ИМС).

К155ЛА3– 4 элемента 2И-НЕ. КР,КМ – разновидность корпуса, из чего сделан.

Одним из основных элементов ГИС является подложка из стеклокерамического материала. Форма всегда прямоугольная. К подложке предъявляются высокие требования по чистоте обработки поверхности, по химической стойкости и электрической прочности.

Контактные площадки и соединительные проводники.

Контактные площадки предназначены для обеспечения электрического контакта между плёночными элементами и соединительными проводниками, а также между плёночными и навесными элементами.

Рис. 59

Контактные площадки чаще всего изготавливаются из алюминия, потом медь, реже серебро, золото. Для улучшения адгезии (прилипания) между проводником (контактной площадкой) и подложкой их напыляют на подслой из никеля.

Плёночные резисторы имеют прямоугольную форму (смотрите рисунки 60, 61).

Рис. 60 Рис. 61

При необходимости получить большую величину сопротивления допускается их изготовлять в виде меандра. Материалами для изготовления резисторов служит никель, нихром, металлокерамика.

Плёночные конденсаторы представляют собой плёночную трёхслойную структуру, между которыми наносится диэлектрическая плёнка. Для обкладок применяют алюминий, медь, реже серебро, золото. В виде диэлектрика наносится окись кремния (SiO2;SiO), моноокись германия (GeO), окись тантала (Ta2O5). Не рекомендуется, но допускается для получения больших ёмкостей напылять многослойные конденсаторы. Очень редко применяются плёночные катушки индуктивности (смотрите рисунок 62).

Рис. 62

Навесные элементы–диоды и транзисторы могут быть с гибкими или жёсткими выводами. Применение навесных элементов с жёсткими выводами затрудняет процесс проектирования интегральных микросхем. Но жёсткие выводы позволяют автоматизировать процесс сборки.

3) Элементы и компоненты полупроводниковых ИМС. Основой полупроводниковой ИМС является подложка из кремния обычно p-типа проводимости. В основе изготовления полупроводниковых ИМС лежит диффузионно-планарная или эпитаксильно планарная технология. Оба эти метода предусматривают создание внутри полупроводника (т.е.в подложке) островков с чередующимися слоями p-и n-типа проводимости (смотритерис.63, 64).

Рис. 63 Рис. 64

Основные параметры

Издание официальное

ГОСТ P 55893—2013

Предисловие

1 РАЗРАБОТАН Открытым акционерным обществом «Российский научно-исследовательский институт «Электронстандарт» (ОАО «РНИИ «Электронстандарт»)

2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 «Изделия электронной техники, материалы и оборудование»

3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 09 декабря 2013 г. № 2199-ст

4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

Правила применения настоящего стандарта установлены в ГОСТ Р 1.0-2012 (раздел 8). Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе «Национальные стандарты», а официальный текст изменений и поправок — в ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты». В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске информационного указателя «Национальные стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (gost.ru)

© Стандартинформ. 2014

Настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен, тиражирован и распространен в качестве официального издания без разрешения Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии

ГОСТ P 55893—2013

НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Микросхемы интегральные

Основные параметры

Integrated microcircuits Basic parameters

Дата введения — 2015—01—01

1 Область применения

Настоящий стандарт устанавливает основные параметры интегральных микросхем, многокристальных модулей и микросборок (далее — микросхемы).

Функциональные подгруппы и виды микросхем, для которых установлены основные параметры, приведены в приложении А.

Настоящий стандарт применяют для выбора параметров при разработке технических заданий на НИР и ОКР, а также при разработке технических условий на микросхемы.

Примечание — В настоящем стандарте применены термины по ГОСТ 17021, ГОСТ 26975 и ГОСТ

19480.

2 Нормативные ссылки

В настоящем стандарте использованы ссылки на следующие стандарты:

ГОСТ 17021-88 Микросхемы интегральные. Термины и определения

ГОСТ 19480-89 Микросхемы интегральные. Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров

ГОСТ 26975-86 Микросборки. Термины и определения

Примечание — При пользовании настоящим стандартом целесообразно проверить действие ссылочных стандартов в информационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет или по ежегодному информационному указателю «Национальные стандарты», который опубликован по состоянию на 1 января текущего года, и по выпускам ежемесячного информационного указателя «Национальные стандарты» за текущий год Если заменен ссылочный стандарт, на который дана недатированная ссылка, то рекомендуется использовать действующую версию этого стандарта с учетом всех внесенных в данную версию изменений. Если заменен ссылочный стандарт. на который дана датированная ссылка, то рекомендуется использовать версию этого стандарта с указанным выше годом утверждения (принятия). Если после утверждения настоящего стандарта в ссылочный стандарт, на который дана датированная ссылка, внесено изменение, затрагивающее положение, на которое дана ссылка, то это положение рекомендуется применять без учета данного изменения Если ссылочный стандарт отменен без замены, то положение, в котором дана ссылка на него, рекомендуется применять в части, не затрагивающей эту ссылку

Фоточувствительные устройства с зарядовой связью:

ЦЛ — линейные; ЦМ — матричные; ЦП — прочие.

Четвертый элемент — число, обозначающее порядковый номер разработки микросхемы в серии.

В обозначение также могут быть введены дополнительные символы (от А до Я), определяющие допуски на разброс параметров микросхем и т. п. Перед первым элементом обозначения могут стоять следующие буквы: А — пластмассовый корпус четвертого типа; Э — на экспорт (шаг выводов 2,54 и 1,27 мм); Р — пластмассовый корпус второго типа; К — для аппаратуры широкого применения; М — керамический, металло- или стеклокерамический корпус второго типа; Е — металлополимерный корпус второго типа; И — стеклокерамический корпус четвертого типа Н — кристаллоноситель.

Вычислительные устройства:

ВМ — микропроцессоры; ВЕ — микро-ЭВМ;

ВУ — устройства микропрограммного управления; ВР — функциональные расширители; ВТ — устройства управления памятью; ВИ — времязадающие устройства; ВЖ — специализированные устройства; ВХ — микрокалькуляторы; ВФ — функциональные преобразователи информации; ВК — комбинированные устройства; ВВ — устройства управления вводом — выводом; ВГ — контроллеры; ВН — устройства управления прерыванием; ВП — прочие.

ВС — микропроцессорные секции; ВА — устройства сопряжения с магистралью; ВБ — устройства синхронизации;